Semi-conducteurs. Page 43 sur 485. Avtronic

Je suis disponible pour vous renseigner!
09.77.19.62.10

Semi-conducteurs

10167 articles disponibles

Accessoires de montage pour transistors

Circuits intégrés divers

Circuits logiques série 4000

Circuits logiques série 74

Diodes

Diodes Haute-tension pour micro-onde

Diodes Transils

Diodes Zéner

Modules de transmission radio

Ponts de redressement à diodes

Supports de circuits intégrés

Thyristors

Transistors

Triacs et diacs

10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: 2SK2647 à 2SK301 (Page 43 sur 485)

Actuellement en rupture de stock

Tarifs dégressifs

Tarifs dégressifs

Actuellement en rupture de stock

Tarifs dégressifs

Tarifs dégressifs

Actuellement en rupture de stock

Tarifs dégressifs

197 En stock

Tarifs dégressifs

Tarifs dégressifs

Tarifs dégressifs

Tarifs dégressifs

Tarifs dégressifs

Tarifs dégressifs

Actuellement en rupture de stock

Tarifs dégressifs

Tarifs dégressifs

Tarifs dégressifs

Tarifs dégressifs

Tarifs dégressifs

Actuellement en rupture de stock

Tarifs dégressifs

Tarifs dégressifs

Tarifs dégressifs

Actuellement en rupture de stock

Tarifs dégressifs

Actuellement en rupture de stock

Tarifs dégressifs

Info livraison: recevez plus simplement votre commande, directement remise dans votre boîte aux lettres par votre facteur (avec suivi)!

Nos principaux fabricants
(Semi-conducteurs):

STMicroelectronic

Philips Semiconductors

Texas Instruments

Matsushita Panasonic

Semi-conducteurs

Accessoires de montage pour transistors

Circuits intégrés divers

Circuits logiques série 4000

Circuits logiques série 74

Diodes

Diodes Haute-tension pour micro-onde

Diodes Transils

Diodes Zéner

Modules de transmission radio

Ponts de redressement à diodes

Supports de circuits intégrés

Thyristors

Transistors

Triacs et diacs

Transistor 2SK2647

Transistor 2SK2647 N-MOS 800V 4A/16Ap. 40W 4R. FAP-IIS Series MOS-FET. High Speed Switching. Constructeur: FEC. Boîtier: TO-220F15. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A. Rds (Ohms): 4. Courant impulsion: 16 Ap. Puissance: 40 W

Transistor 2SK2651

Transistor 2SK2651 N-MOS 900V 6A/24Ap. 50W 2.5R (3A). FAP-IIS Series. MOS-N-FET. Constructeur: FEC. Boîtier: TO-220F15. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3 A. Rds (Ohms): 2.5.

Transistor 2SK2662

Transistor 2SK2662 N-MOS+Z 500V 5A/20Ap. 35W 1.35R. Field Effect Transistor (TT-MOS V). High Speed Switching. Zéner-Protected. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Rds (Ohms): 1.35.

Transistor 2SK2671

Transistor 2SK2671 N-MOS 900V 5A 40W 2.1R ton:55nS. HVX-2 Series POWER MOSFET. ton:55nS. toff: 210nS. Constructeur: Shindengen Electric. Boîtier: TO-220F15. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Rds (Ohms): 2.1. Puissance: 40 W

Transistor 2SK2698

Transistor 2SK2698 N-MOS 500V 15A 150W< 0.4R(7A). Field Effect Tranzisztor. High spesd. High Voltage Switching. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 15 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7 A.

Transistor 2SK2699

Transistor 2SK2699 N-MOS+Z 600V 12A/48Ap. 150W 0.65R(6A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 6 A. Rds (Ohms): 0.65.

Transistor 2SK2700

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+D 900V 3A. Boîtier: TO-220F. Vds(max): 900V. Id(@25ºC): 3A. Puissance: 40W. Résistance Rds: 3.7 Ohms.

Transistor 2SK2715TL

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 500V. Courant de drain maxi: 2A. Puissance: 20W. Rds: 3 Ohms. Fast switching speed. Boîtier: TO-252AA(CMS D-PAK).

Transistor 2SK2717

Transistor 2SK2717 N-MOS+Z 900V 5A/15Ap 45W 2.3R. Field Effect Tranzisztor. High spesd. High Voltage Switching. DC/DC Conv.. Constructeur: TOS. Boîtier: IDp:15A.TO-220F. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Rds (Ohms): 2.3.

Transistor 2SK2723

Transistor 2SK2723 N-MOS 60V 25A 25W 0.06R (13A). V-MOS (F). MOS-N-FET. Constructeur: NEC. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 25 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 13 A. Rds (Ohms): 0.06. Puissance: 25 W

Transistor 2SK2750

Transistor 2SK2750 N-MOS+Z 600V 3.5A IDp:14A 35W 1.7R. Field Effect (TT-MOSV). Chopper Regulator. DC-DC Converter. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.5 A

Transistor 2SK2760

Transistor 2SK2760 N-MOS 600V 9A 60W <1R2(4.5A). V-MOS (F). MOS-N-FET. Constructeur: FEC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Rds (Ohms): 1. Puissance: 60 W

Transistor 2SK2761

Transistor 2SK2761 N-MOS 600V 10A 50W <1R(4.5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: FEC. Boîtier: (F). Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.5 A. Rds (Ohms): 1. Puissance: 50 W

Transistor 2SK2828

Transistor 2SK2828 N-MOS+Z 700V 12A IDp:48A 175W 0.9R. Silicon N Channel MOS FET. High Speed Power Switching. Constructeur: HIT. Boîtier: TO-3P. td(on)25nS. td(off)140nS. Tension de Drain maxi: 700 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A

Transistor 2SK2842

Transistor 2SK2842 N-MOS+Z 500V 12A IDp:48A 40W 0.4R. TT-MOSV (F). Chopper Regulstor. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A

Transistor 2SK2843

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 600V 10A . Boîtier: TO-220F. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 10A.

Transistor 2SK2850

Transistor 2SK2850 N-MOS 900V 6A/24Ap. 125W 1.87R. TT-MOSV. Swithing. td(on): 20nS. td(off): 110nS.. Constructeur: FUJ. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 A. Rds (Ohms): 1.87. Courant impulsion: 24 Ap.

Transistor 2SK2937

Transistor 2SK2937 N-MOS 60V 25A 25W<0.07R(15A). V-MOS (F). MOS-N-FET. Constructeur: HIT. Rds: <70mR. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 25 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 15 A. Rds (Ohms): 0.07. Puissance: 25 W

Transistor 2SK2968

Transistor 2SK2968 N-MOS+Z 900V 10A IDp: 30A 150W 1.05R. FIELD EFFECT MOS Type: (TT-MOS-III). DC-DC Converter. Relay & Motor Drive. Constructeur: TOS. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A

Transistor 2SK2996

Transistor 2SK2996 N-MOS+Z 600V 10A IDp:30A 45W 0.74R. FIELD EFFECT Mos Type: (TT-MOS-V). High Speed. High Voltage switching. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A

Transistor 2SK301

Transistor 2SK301 N-FET 55V ID:30mA Idss: >0.5mA Up<5V. AF Amp. Constructeur: MAT. Boîtier: TO-92. Courant de Drain maxi (@25°C): 30 mA

Aide

Renseignements

Boutique

Mon compte

Restons en contact